金屬、金屬氧化物半導(dǎo)體一維納米結(jié)構(gòu)制備及物性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、 本文對于一維金屬納米管(或同軸電纜)、金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)的可控合成及其相關(guān)物性,我們做了一系列的研究,采用陽極氧化的方法,我們在草酸和硫酸水溶液中制備了具有六角密排孔洞結(jié)構(gòu)的氧化鋁膜。研究了大氣中退火和電解液濃度對其光致發(fā)光的影響。電化學(xué)沉積一維合金納米有序陣列,我們發(fā)展了一種基于模板的電化學(xué)共沉積方法制備Ni/Cu納米同軸電纜有序陣列,并通過電化學(xué)去合金方法去除納米同軸電纜中的銅核,從而獲得了Ni納米管有序陣列。Ni/Cu納米

2、同軸電纜和Ni納米管顯示出單軸磁各向異性,其易磁化方向沿著納米管(或同軸電纜)的軸線方向?! 〔捎没谀0宓碾姵练e方法,我們還成功制備了Cu-Se合金納米線有序陣列,并分析了影響Cu-Se合金納米線填充率和結(jié)晶度的一些電沉積參數(shù),豐富了Cu-Se合金納米材料的制備方法?!     ?我們首先采用熱蒸發(fā)的VLS機(jī)制制備了寬面為極性面的ZnO納米帶,然后經(jīng)過化學(xué)溶液法,在ZnO納米帶的兩個寬面上外延生長了ZnO納米棒陣列,形成Zn

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