HVIC主要器件的分析、模擬與建庫(kù).pdf

1、本文對(duì)于AIC82103主要器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，并用PISCES-II軟件對(duì)某些器件的特性進(jìn)行了模擬。通過(guò)分析器件的版圖和縱向圖，確定了各個(gè)器件的版圖層次和縱向結(jié)構(gòu)。在此基礎(chǔ)上，分析了各個(gè)器件的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。在AIC82103中，尤為突出的是起電平移位作用的LDMOS（橫向雙擴(kuò)散）管。該器件采用了多種終端技術(shù)，包括內(nèi)場(chǎng)限環(huán)技術(shù)，浮置場(chǎng)環(huán)和弱化表面電場(chǎng)技術(shù)等。本文所設(shè)計(jì)的HVIC在工藝上采用ABCD技術(shù)，將多種器件如高壓LDMOS、NMO

2、S、PMOS、各種擊穿電壓不等的ZENER管、二極管，電阻，電容等集成在同一芯片上，并保證電路在600V高壓下協(xié)同工作。為將高低壓電路集成在同一芯片上，采用PN結(jié)對(duì)通隔離技術(shù)將連接不同電源電位的襯底隔離開(kāi)。此外，本文還應(yīng)用PISCES-II軟件對(duì)AIC82103中三個(gè)最有特點(diǎn)的器件進(jìn)行了模擬。通過(guò)修改器件的參數(shù)，使器件的特性達(dá)到電路上的要求。最后，通過(guò)分析模擬的結(jié)果，確定了部分器件的版圖尺寸，并畫(huà)出了器件的版圖。最終的流片結(jié)果表明：