氫化微晶硅薄膜VHF-PECVD法低溫沉積及其生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究.pdf

1、該論文采用VHF-PECVD技術(shù),對(duì)氫化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的低溫、高速沉積進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,并基于對(duì)不同沉積條件下的硅烷等離子體的原位診斷,對(duì)μc-Si:H薄膜材料的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程進(jìn)行了初步的探討.主要完成了以下幾個(gè)方面的工作:研究了不同的等離子體工藝條件、不同襯底、不同本底真空以及不同的弱硼補(bǔ)償條件下的μc-Si:H薄膜沉積,主要研究了μc-Si:H薄膜沉積速率、結(jié)構(gòu)特性與表面形貌等的變化規(guī)律以及不同條件下實(shí)現(xiàn)a-Si:H/μ

2、c-Si:H過(guò)渡區(qū)域時(shí),材料結(jié)構(gòu)特征所表現(xiàn)出來(lái)的顯著差異.此外,還初步研究了μc-Si:H薄膜沉積過(guò)程中的氧污染以及弱硼補(bǔ)償對(duì)結(jié)構(gòu)特性的影響.在μc-Si:H薄膜特性研究方面,主要研究了對(duì)材料的光學(xué)特性、電學(xué)輸運(yùn)特性、H含量以及穩(wěn)定性等方面內(nèi)容.綜合采用Langmuir靜電探針和等離子體光發(fā)射譜測(cè)量(OES)技術(shù)對(duì)系列沉積條件下μc-Si:H薄膜的沉積過(guò)程進(jìn)行了原位診斷.基于對(duì)硅烷等離子體原位診斷測(cè)量結(jié)果的分析與討論,并且結(jié)合系列沉積條