微晶硅薄膜的PECVD制備及性能研究.pdf

1、隨著化石能源的逐漸耗竭以及人類對(duì)環(huán)境保護(hù)的認(rèn)識(shí)，新能源發(fā)展迅速，其中太陽(yáng)能的利用具有非常大的前景。傳統(tǒng)的晶體硅電池轉(zhuǎn)化效率低，制造成本高，而薄膜電池的穩(wěn)定性一直受到人們的質(zhì)疑。硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能薄膜電池包含單晶硅襯底和摻雜非晶硅/微晶硅薄膜形成的異質(zhì)結(jié)，是一種結(jié)合了晶體硅電池穩(wěn)定性與薄膜電池低成本利于大面積制造特點(diǎn)的新型高效率電池。影響硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能薄膜電池轉(zhuǎn)換效率的最主要的因素是異質(zhì)結(jié)的制造，其主要包括本征非晶/微晶硅薄膜的沉積和摻雜

2、非晶/微晶硅薄膜的沉積。在這篇論文中，我們主要研究了以下幾個(gè)方面：
　　 1.使用馬弗爐在單晶硅片背面熱擴(kuò)散硼酸或五氧化二磷制得背電場(chǎng)，測(cè)試了背電場(chǎng)的方塊電阻和摻雜濃度。
　　 2.使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)在石英玻璃襯底上分別沉積了非晶硅和微晶硅薄膜，并研究了非晶硅和微晶硅薄膜的生長(zhǎng)情況和光學(xué)性質(zhì)。
　　 3.使用PECVD在不同襯底上沉積微晶硅薄膜，研究了襯底對(duì)微晶硅結(jié)晶性能和生長(zhǎng)情況的影