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1、河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文廉價襯底上PECVD法制備非晶硅薄膜的工藝研究姓名：于經(jīng)申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：劉彩池20100301廉價襯底上PECVD法制備非晶硅薄膜的工藝研究iiSTUDYSTUDYSTUDYSTUDYONONONONTHETHETHETHEFABRICATIONFABRICATIONFABRICATIONFABRICATIONTECHNOLOGYTECHNOLOGYTECHNOLOGYTECHNO
2、LOGYOFOFOFOFAMPHOUSAMPHOUSAMPHOUSAMPHOUSSILICONSILICONSILICONSILICONFILMSBYFILMSBYFILMSBYFILMSBYPECVDPECVDPECVDPECVDONONONONLOWLOWLOWLOWCOSTCOSTCOSTCOSTSUBSTRATESSUBSTRATESSUBSTRATESSUBSTRATESABSTRACTABSTRACTABSTRACTABST
3、RACTEnvironmentpollutionenergysourceshtagearebecomingthemostimptantproblemsfthecurrentsociety.Solarenergyisaregenerativecleanenergy.Theresearehofsolarcellsbecomesmemeimptant.Theamphoussiliconfilmssolarcellshavebeenconcer
4、nedinthefieldofPVatpresent.Theapplicationoflowcostsubstratesmakesitmecompetitiveincostcontrol.Amphoussiliconthinfilmshavebeenwidelystudiedintherecentyears.UsingSiH4H2asgassourcesamphoussiliconthinfilmsaredepositedonglass
5、、siliconwafer、stainlesssteelsubstratesbyplasmaenhancedchemicalvapdeposition(PECVD).UsingthemethodsuchasXRD、Raman、SEM、FTIRtostudydifferentdepositionparameterssuchassilaneconcentration、substratetemperature、RFpower、gaspress
6、uresinfluencetothethinfilmsdepositionrate、structure、bondingmodesurfacetopography.Itindicatedthatwiththeincreaseofsilaneconcentration、substratetemperature、RFpowergaspressurethedepositionrateofamphoussiliconthinfilmsonglas
7、sincreased.Whensilaneconcentrationincreasedfrom1%to9%thedepositionrateincreasedthemostrapidlytheconfigurationsshiftedfromSiH、SiH2toSiHwhensubstratetemperatureincreasedfrom300℃to350℃thedepositionrateincreasedthemostrapidl
8、ytheconfigurationsshiftedfromSiH、SiH2toSiHwhenRFpowerincreasedfrom40Wto70WthedepositionrateincreasedthemostrapidlytheconfigurationsshiftedfromSiHtoSiH、SiH2whengaspressureincreasedfrom80Pato100Pathedepositionrateincreased
9、themostrapidlytheconfigurationsshiftedfromSiH、SiH2toSiH.Thentheoptimizeddepositonparametersofamphoussiliconthinfilmswereobtained.Differentsubstratematerialshadagreatinfluencetothesurfacetopographyofthinfilms.Thethinfilms
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