硅薄膜的PECVD制備及其結(jié)構(gòu)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文詳細(xì)論述了PECVD 法制備非晶硅和微晶硅薄膜的原理和過(guò)程，深刻剖析了PECVD 儀器各部分的工作原理并進(jìn)行了圖示。實(shí)驗(yàn)選用SiH4和H2 作為氣源，在普通玻璃襯底上低溫沉積了硅薄膜。制備的工藝參數(shù)范圍如下，沉積溫度：250-450℃；SiH4氣體流量：1-40SCCM；放電功率：40-130W；本底真空度：6.6×10-4Pa；沉積氣壓：100Pa；沉積時(shí)間：30-540min。采用Raman 散射譜、掃描電子顯微鏡(SEM)、透

2、射電鏡（TEM）、X 射線衍射儀（XRD）等手段研究了硅烷濃度、沉積溫度、射頻功率等參數(shù)對(duì)硅薄膜的結(jié)構(gòu)、結(jié)晶狀態(tài)和沉積速率的影響。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，當(dāng)硅烷含量由10％降低到1％過(guò)程中，Si 薄膜沉積速率逐漸下降；當(dāng)硅烷濃度降到2％時(shí)，拉曼光譜檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的晶體Si 在520cm-1 附近的新吸收峰，而最初在480cm-1 附近的非晶吸收峰位逐漸減弱，Si 薄膜的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了由非晶向微晶轉(zhuǎn)變；當(dāng)硅烷濃度降低到1％，晶化率提高到18％。

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