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1、平面無(wú)源集成電壓調(diào)整模塊是在平面磁集成電壓調(diào)整模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái),由于引入了平面無(wú)源集成技術(shù),無(wú)源集成的基本單元和變換器建模是電壓調(diào)整模塊研究的重點(diǎn)和難點(diǎn)。因而將新型的無(wú)源單元引到電壓調(diào)整模塊中,研究高功率密度、高性能的平面無(wú)源集成電壓調(diào)整模塊將具有重要的理論價(jià)值和實(shí)際意義。本文的研究?jī)?nèi)容包括以下三個(gè)方面:一是研究磁性器件本身磁集成的建模問(wèn)題和電感與電容(L-C)的集成,利用磁路-電路對(duì)偶模型建立了兩相磁集成模型,以?xún)?yōu)化平面無(wú)源集成設(shè)
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