C-SiC復(fù)合材料復(fù)雜環(huán)境的聲發(fā)射研究.pdf

1、本文在對(duì)碳化硅復(fù)合材料晶片性能和缺陷分析的基礎(chǔ)上，首先采用兩階段退火方法對(duì)晶片進(jìn)行了退火改性處理，對(duì)比了晶片退火前后性能的變化，從中找到了合理的退火工藝參數(shù)。同時(shí)，還發(fā)現(xiàn)長時(shí)間的低溫退火非但不能提高晶片的紅外透過率，反而由于Te沉淀相及其所含雜質(zhì)的溶解使晶片的紅外透過率下降。 采用掃描電鏡對(duì)退火后的CdZnTe單晶進(jìn)行了分析。退火后CdZnTe晶片經(jīng)過腐蝕后表面出現(xiàn)了形貌各異的大尺寸富Te相，這些富Te相是基體中的富Te成分在退

2、火過程中通過熱遷移向表面聚集而形成的。熱遷移的量隨升溫速率的升高而增加。 用透射電子顯微鏡觀察和研究了CdZnTe單晶的缺陷。在晶片的透射電鏡照片中觀察到與晶片表面平行的棱柱位錯(cuò)環(huán)和有幾何形狀的Te沉淀相，Te沉淀相與棱柱位錯(cuò)這兩種缺陷是相互依存的。 首次采用了X射線衍射法測(cè)定了單晶材料CdZnTe的應(yīng)力，利用多元線性回歸模型分析確定了無應(yīng)力狀態(tài)下的布拉格衍射角θ0，從而計(jì)算出CdZnTe的應(yīng)力。計(jì)算結(jié)果為，生長態(tài)CdZ