銀納米環(huán)的氣泡模板法制備及其等離子體共振吸收特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來環(huán)狀納米結構因具有獨特的物理、化學性能以及在光、電、催化和存儲等領域具有重要潛在應用價值而倍受人們的關注。環(huán)狀納米結構發(fā)展的關鍵在于其制備，但是目前的制備方法或者實驗條件苛刻，或者操作復雜，或者需要昂貴的儀器。在本文的研究中，我們發(fā)展了一種低成本、操作簡單的大面積制備銀納米環(huán)的方法。銀納米環(huán)的制備過程包括三步：首先配制AgNO3/SiO2復合溶膠；繼而通過浸漬提拉法在硅片或玻璃襯底上形成復合薄膜；最后經(jīng)熱處理得到銀納米環(huán)。通過掃描

2、電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）和X射線衍射儀（XRD）對樣品進行形貌觀測和晶體結構表征。SEM和AFM結果顯示，銀納米環(huán)外直徑在200-600nm之間，環(huán)壁厚度在50-100nm之間。XRD結果表明，銀納米環(huán)為面心立方晶體結構。研究了溶膠比例、硝酸銀濃度、pH值和熱處理工藝等因素對銀納米環(huán)形成的影響，優(yōu)化了實驗參數(shù)。根據(jù)納米氣泡和液滴等中間產(chǎn)物的證據(jù)，提出了一種以氣泡為模板制備銀納米壞的生長機制。
　　 本文研究了

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