碲化鋅晶體中太赫茲輻射研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文主要內(nèi)容為半導體材料碲化鋅（ZnTe）晶體中太赫茲（THz）輻射研究。借助泵浦-探測技術研究了ZnTe晶體中光學整流產(chǎn)生的THz輻射，利用ZnTe晶體線性電光效應（Pockels效應）探測THz輻射場分布，并對反應離子刻蝕（RIE）ZnTe晶體的反射光譜進行了研究。首先總結了THz輻射產(chǎn)生和探測的不同物理機制和輻射特性，以及THz輻射在諸多方面的應用。其次，利用泵浦-探測技術研究了俄羅斯RMT公司生產(chǎn)的<110>立方閃鋅礦結構Z

2、nTe晶體通過光學整流產(chǎn)生的THz輻射，觀察到了較窄（約為0.2ps）的THz場分布及相應較寬（響應超過4THz，半峰寬約為2.4THz）的THz頻譜，并運用瓊斯矩陣對實驗結果進行了理論擬合。再者，同時研究了RIE刻蝕ZnTe晶體中THz輻射場分布，比較了刻蝕前后以及不同刻蝕條件下p-ZnTe晶體的遠紅外反射光譜與泵浦-探測反射譜，獲得RIE刻蝕后ZnTe晶體損傷層平均厚度和不同RIE刻蝕條件下THz輻射場分布，得到了不同RIE刻蝕條

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