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文檔簡介
1、本文首先介紹了半導(dǎo)體中的基本光學(xué)過程,著重分析了能帶帶間包括帶尾之間的躍遷、晶格振動和喇曼(Raman)散射特性,簡介了研究樣品的測量儀器真空紫外光譜儀和傅立葉變換光譜儀。然后給出了相關(guān)的理論模型,包括三層薄膜透射和反射、晶格振動區(qū)域以及吸收邊以上基本吸收區(qū)域的折射率模型。最后,重點介紹了我所研究的反應(yīng)離子刻蝕(RIE)碲化鋅(ZnTe)晶體從紫外到紅外波段的光學(xué)性質(zhì)和應(yīng)用,這些工作都是從測量RIE ZnTe晶體各種類型的光譜開始的。
2、通過研究RIE ZnTe晶體的遠紅外(FIR)反射譜,我們得到了RIE ZnTe晶體損傷層平均厚度,介紹了刻蝕中缺陷的引入機制,估算了缺陷濃度,并分析了改變刻蝕條件特別是射頻功率對晶體造成的影響。在此基礎(chǔ)上,我們計算了RIE ZnTe晶體在太赫茲(THz)頻段的表面層有效折射率,并利用兩套經(jīng)驗公式總結(jié)出了折射率與射頻功率之間的關(guān)系。此外,我們利用臨界點(CPs)模型擬合了RIE ZnTe晶體紫外反射光譜,詳細分析了ZnTe晶體吸收邊
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