基于無機(jī)納米晶-聚合物復(fù)合薄膜電雙穩(wěn)特性研究.pdf

1、為了克服無機(jī)半導(dǎo)體存儲器發(fā)展可能達(dá)到的開發(fā)極限，開發(fā)新型存儲材料成為科學(xué)界廣泛研究的課題，在眾多新型存儲材料中，有機(jī)材料由于可折疊、成本低、存儲密度高等成為很有潛力的材料之一，然而隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，單一性質(zhì)的材料已經(jīng)跟不上時代發(fā)展的腳步，復(fù)合材料成為現(xiàn)代材料發(fā)展的趨勢。近年來，隨著無機(jī)納米材料合成技術(shù)和性質(zhì)研究的突破，將無機(jī)納米材料引入到聚合物材料中形成聚合物基無機(jī)納米復(fù)合材料越來越成為信息存儲科學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
　　 本文

2、中我們制備了十二硫醇包覆的無機(jī)納米晶，并將其引入到聚合物之中，采用旋涂的方法制備了基于無機(jī)納米晶/聚合物復(fù)合薄膜的電雙穩(wěn)器件，研究了器件的電學(xué)特性，并探討了影響電雙穩(wěn)器件性能的因素和器件的工作機(jī)制。所作主要工作包括以下內(nèi)容：
　　 1．通過一步法合成了分散性較好的十二硫醇包覆的Cu2S和Ag納米晶；通過透射電子顯微鏡(TEM)、X射線粉末衍射(XRD)等手段對納米晶的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征；
　　 2．利用有機(jī)聚合物PVK

3、摻雜Cu2S作為功能層，通過旋涂的方法制作了結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT:PSS/PVK:Cu2S/Al的電雙穩(wěn)器件，通過改變PVK:Cu2S的配比濃度研究了Cu2S納米晶對影響器件的作用，并研究了有機(jī)功能層厚度、掃描電壓范圍對器件性能的影響，最后通過實(shí)驗(yàn)和理論擬合研究了器件在高低導(dǎo)電狀態(tài)電荷的輸運(yùn)模式。
　　 3．將Ag納米晶與聚合物PVK復(fù)合，采用旋涂的方法制備了基于Ag納米晶和PVK復(fù)合體系的結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT:PSS/