基于P3HT-PEO全聚合物薄膜電雙穩(wěn)特性研究.pdf

1、近年來(lái)，在有機(jī)光電子器件領(lǐng)域中，有機(jī)電雙穩(wěn)器件逐漸成為一個(gè)重要的研究方向。無(wú)機(jī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器隨著尺寸的減小生產(chǎn)成本呈指數(shù)增長(zhǎng)，再加上光刻技術(shù)的限制，逐漸滿足不了人們對(duì)高存儲(chǔ)密度、小尺寸存儲(chǔ)器的需求。而有機(jī)電雙穩(wěn)器件具備存儲(chǔ)密度大、柔韌性好、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)，受到了越來(lái)越多業(yè)界學(xué)者的關(guān)注。相較于有機(jī)小分子材料的熱蒸鍍法，有機(jī)聚合物在制備薄膜的過(guò)程中可以采用旋涂法，制備工藝簡(jiǎn)單、成本低廉，而且聚合物材料具備質(zhì)量輕、組成結(jié)構(gòu)多變、柔韌性好等優(yōu)點(diǎn)，

2、聚合物電雙穩(wěn)器件逐漸成為人們研究的熱點(diǎn)。本工作通過(guò)三種不同的方法制備了基于聚3-己基噻吩(P3HT)和聚環(huán)氧乙烷(PEO)的全有機(jī)聚合物電雙穩(wěn)器件，并研究了其特性，工作主要內(nèi)容如下:
　　(1)單層全聚合物薄膜電雙穩(wěn)器件的研究。該器件的活性層為通過(guò)旋涂法制備的由P3HT和PEO組成的共混單層薄膜。對(duì)器件的橫截面進(jìn)行掃描電子顯微鏡測(cè)量(SEM)，并對(duì)器件的各項(xiàng)電學(xué)性能進(jìn)行了研究。通過(guò)改變P3HT與PEO的濃度配比研究其對(duì)電雙穩(wěn)特性的

3、影響。器件在正向電壓區(qū)有很好的開(kāi)關(guān)特性，寫(xiě)入電壓為25V，最大開(kāi)關(guān)比達(dá)到了103。對(duì)單層全聚合物電雙穩(wěn)器件的電流電壓曲線進(jìn)行線性擬合，研究了該器件在高導(dǎo)態(tài)和低導(dǎo)態(tài)的電荷傳輸機(jī)制。
　　(2)自發(fā)相分離形成雙層全聚合物薄膜電雙穩(wěn)器件的研究。對(duì)器件的橫截面進(jìn)行掃描電子顯微鏡測(cè)量(SEM)，發(fā)現(xiàn)該器件的活性層在熱退火過(guò)程中由于自發(fā)相分離形成了雙層結(jié)構(gòu)。對(duì)器件的各項(xiàng)電學(xué)性能進(jìn)行測(cè)量與研究，同樣器件在正向電壓區(qū)有很好的開(kāi)關(guān)特性，閾值電壓從2

4、5V減小到10V，最大開(kāi)關(guān)比同樣達(dá)到了103，持續(xù)時(shí)間達(dá)到了103 s，比單層電雙穩(wěn)器件的持續(xù)時(shí)間高出了一個(gè)數(shù)量級(jí)。
　　(3)逐層旋涂雙層全聚合物薄膜電雙穩(wěn)器件的研究。該器件的活性層為通過(guò)逐層旋涂的方法制備的由P3HT層和PEO層組成的雙層薄膜。對(duì)器件的橫截面進(jìn)行掃描電子顯微鏡測(cè)量(SEM)。對(duì)器件的各項(xiàng)電學(xué)性能進(jìn)行測(cè)量，器件在正負(fù)電壓區(qū)均有很好的開(kāi)關(guān)特性，寫(xiě)入電壓為10V，最大ON/OFF比達(dá)到了104，器件高低導(dǎo)電態(tài)的持續(xù)時(shí)