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文檔簡介
1、垂直腔面發(fā)射半導體激光器(VCSEL)是當前光電子學領域最活躍的研究課題之一。它與傳統(tǒng)的端面發(fā)射半導體激光器(EEL)相比，具有閾值電流低、輸出光束發(fā)散角小、易與光纖耦合、易實現(xiàn)單縱模工作、易形成高密度二維陣列等優(yōu)點，在光纖通信、光信息處理、．激光打印、光傳感等領域有著廣泛的應用前景。垂直耦合腔面發(fā)射半導體激光器(CC-VCSEL)繼承了VCSEL的諸多優(yōu)點，同時能夠很好的滿足光波分復用、THz頻率發(fā)生器、雙波長干涉測量等技術對雙波長發(fā)
2、光器件的特殊要求，因此也越來越受重視。 CC-VCSEL可以實現(xiàn)雙波長光輸出，且波長間隔可以通過調整中間DBR膜層對數(shù)及雙腔腔長失調比率來控制。本文第一部分從CC-VCSEL的內部結構出發(fā)，建立起關于整個CC-VCSEL的傳輸矩陣模型，并利用傳輸矩陣法計算出固定載流子濃度下CC-VCSEL的激射波長；然后分析了中間DBR膜層對數(shù)、雙腔腔長失調比率及量子阱載流子濃度對輸出波長間隔的影響。計算結果表明在雙腔腔長相同的情況下，以940
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