隔膜燒堿蒸發(fā)裝置優(yōu)化研究.pdf

1、隔膜電解法是我國(guó)主要燒堿制備方法之一，蒸發(fā)結(jié)晶系統(tǒng)是以去除電解液中氯化鈉等雜質(zhì)和提高燒堿濃度為主要目的的制燒堿關(guān)鍵工序。針對(duì)齊魯石化公司氯堿廠燒堿濃度偏低的問(wèn)題，論文對(duì)該廠四效逆流強(qiáng)制內(nèi)循環(huán)蒸發(fā)結(jié)晶系統(tǒng)各設(shè)備中結(jié)晶顆粒分布和晶體質(zhì)量的變化進(jìn)行了研究，分析了影響燒堿產(chǎn)品質(zhì)量的主要因素，依據(jù)工業(yè)結(jié)晶有關(guān)理論，提出了改進(jìn)方案，為蒸發(fā)結(jié)晶系統(tǒng)的優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量的提高提供了基礎(chǔ)。 論文以實(shí)測(cè)工藝數(shù)據(jù)為依據(jù)，詳細(xì)分析了蒸發(fā)結(jié)晶系統(tǒng)各結(jié)晶器中物

2、料所帶的結(jié)晶質(zhì)量和晶體粒度分布的變化。結(jié)果表明系統(tǒng)選擇的幾個(gè)分離部位是很合理的，結(jié)晶的主要發(fā)生區(qū)域?yàn)檎舭l(fā)結(jié)晶工序，冷卻結(jié)晶工序中結(jié)晶量較少。 蒸發(fā)結(jié)晶工序中四效結(jié)晶質(zhì)量最大，晶體粒度基本呈正態(tài)分布，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的結(jié)晶質(zhì)量基本無(wú)影響；三效和二效中不同粒度的晶體質(zhì)量都略有變化，對(duì)結(jié)晶質(zhì)量的影響也不大；在一效中不同粒度結(jié)晶都發(fā)生了質(zhì)量增加。一閃中晶體生長(zhǎng)效果較好，二閃中大粒度晶體發(fā)生了很?chē)?yán)重的破碎，破碎率分別達(dá)到10％以上，其改進(jìn)方案有

3、加大循環(huán)量和蒸發(fā)量。DV309中晶體破碎特別嚴(yán)重，分離效果較差，對(duì)后續(xù)工段影響較大，其改進(jìn)方案為：添加絮凝劑，使細(xì)晶凝聚便于分離出去；改進(jìn)其工作環(huán)境，使晶體破碎不至于太劇烈。 在八臺(tái)冷卻器中，前三臺(tái)冷卻器DE401～DE403完成大部分的冷卻負(fù)荷，冷卻工段76.6％的氯化鈉結(jié)晶量都在這三臺(tái)冷卻器中完成，在DE404到DE408中有明顯的大粒度晶體的嚴(yán)重破碎。針對(duì)八臺(tái)冷卻器，根據(jù)先緩后急冷卻方案，提出了兩種修改工藝流程：一是在盡量