高比容鋁陽極箔介質(zhì)膜生長控制技術(shù)研究.pdf

1、鋁電解電容器由于其容量大、工作電壓高、性價比高等特點，廣泛地應(yīng)用于各電子整機系統(tǒng)中。高比容鋁電極箔制備技術(shù)是實現(xiàn)鋁電解電容器高性能的關(guān)鍵技術(shù)，而決定鋁電極箔性能水平的關(guān)鍵則是作為鋁電解電容器用的電介質(zhì)膜。本文圍繞鋁電極箔介質(zhì)膜的組分及存在特性展開研究，以國產(chǎn)低壓腐蝕鋁箔作為研究對象，從控制鋁電極箔的表面介質(zhì)膜生長分布及介質(zhì)膜組分和存在形式這兩條思路出發(fā)，有效的利用鋁電極箔的比表面積和提高介質(zhì)膜的介電常數(shù)。本論文的主要研究內(nèi)容及創(chuàng)新結(jié)果歸

2、納如下：
　　1、研究了鋁電極箔的表面微觀形貌。通過計算機圖像分析處理技術(shù)，統(tǒng)計了各賦能電壓下鋁電極箔表面不同孔徑對應(yīng)的孔洞數(shù)量。分析結(jié)果表明：介質(zhì)膜的生長影響了鋁電極箔表面孔洞分布，從而導(dǎo)致了其有效比表面積的改變，當(dāng)高純鋁箔經(jīng)前期腐蝕工藝發(fā)孔的孔徑大小控制在0.2~0.6μm之間且孔洞數(shù)量占優(yōu)時，對應(yīng)的鋁電極箔的表面積將會得到最有效利用。
　　2、研究了高介電復(fù)合介質(zhì)膜制備技術(shù)。采用溶膠凝膠法制備鈦酸鋇材料，將低溫液相法制

3、備的高介電SBA材料分散到鈦酸鋇中構(gòu)成復(fù)合材料體系，成功在鋁腐蝕箔上制備高介電復(fù)合介質(zhì)膜，并通過正交實驗設(shè)計優(yōu)化工藝，得出優(yōu)化工藝方案。結(jié)果表明：經(jīng)復(fù)合介質(zhì)膜工藝處理后的鋁電極箔比容水平在低壓段要比未經(jīng)高介電復(fù)合介質(zhì)處理工藝高出40％左右，在30V賦能電壓點，比容提高最大可達到43%，并且較單一鈦酸鋇工藝處理工藝要高出10%。通過SEM分析發(fā)現(xiàn)，復(fù)合介質(zhì)膜的內(nèi)部有一定晶型介質(zhì)存在，XRD及XPS表征確定了復(fù)合介質(zhì)膜中鈦酸鋇高介電相的存在