2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、Al2O3陶瓷與鋁合金復(fù)合構(gòu)件在電力電子、航空航天、能源交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。但是,Al2O3陶瓷與鋁合金本身都是焊接性較差的材料。二者的連接不僅要解決陶瓷潤濕性差、接頭殘余應(yīng)力大等陶瓷與金屬連接的共性問題,而且受鋁合金熔點的限制,目前陶瓷與金屬連接常用的活性釬焊方法不能使用。本文針對Al2O3陶瓷與鋁合金高致密封接的迫切要求,提出了Al2O3陶瓷先反應(yīng)金屬化再與鋁合金擴散釬焊的連接方法,研究接頭形成機理,實現(xiàn)了接頭成型的精確控

2、制,獲得了高質(zhì)量的Al2O3陶瓷與5A05鋁合金連接結(jié)構(gòu)。
  Al2O3陶瓷反應(yīng)金屬化,即在Al2O3陶瓷待連接表面預(yù)置反應(yīng)金屬(含有可與陶瓷反應(yīng)的活性元素及可與Al發(fā)生共晶反應(yīng)的元素),利用活性元素與陶瓷的反應(yīng)實現(xiàn)金屬化層與陶瓷的結(jié)合。以反應(yīng)金屬化后外層金屬固溶體為中間層,實現(xiàn)反應(yīng)金屬化的Al2O3陶瓷與5A05鋁合金的擴散釬焊。
  反應(yīng)金屬化是實現(xiàn) Al2O3陶瓷與5A05鋁合金高致密封接的第一步。為獲得良好的反應(yīng)金

3、屬化質(zhì)量,從材料設(shè)計和工藝控制兩方面入手,設(shè)計反應(yīng)金屬成分,考察工藝參數(shù)的影響。確定了反應(yīng)金屬的添加形式為TiH2+AgCu共晶+B混合粉末,合適的B含量為0.9~2.3wt.%,相應(yīng)Ti含量為5.8~12wt.%。較佳的反應(yīng)金屬化溫度為880~900℃,反應(yīng)金屬化時間5~20min,形成 Al2O3陶瓷/Ti3Cu3O/Ag(s.s)+Cu(s.s)+TiB+Ti-Cu化合物的反應(yīng)金屬化結(jié)構(gòu)。
  反應(yīng)金屬化后陶瓷側(cè)界面反應(yīng)層的

4、厚度直接影響 Al2O3陶瓷與5A05鋁合金接頭的性能,反應(yīng)層不連續(xù)或是厚度太小,不足以形成良好的連接,不能保證界面的致密,厚度太大,則反應(yīng)層自身會產(chǎn)生缺陷,造成性能下降。在分析Al2O3陶瓷反應(yīng)金屬化物理過程的基礎(chǔ)上,建立了工藝上可控參數(shù)(如反應(yīng)金屬成分、添加量,反應(yīng)金屬化溫度、時間等)與界面反應(yīng)層及外層金屬厚度之間的關(guān)系,為整個連接過程的控制邁出第一步。
  在反應(yīng)金屬化后的Al2O3陶瓷與5A05鋁合金擴散釬焊過程中,必須控

5、制5A05鋁合金的溶解量。溶解量太小,去膜動力不足,鋁合金表面氧化膜就會成為連接的障礙,造成接頭不致密;溶解量太大,又會導(dǎo)致接頭溶蝕,特別是對于本課題中的薄壁鋁管,甚至?xí)斐射X管的蝕穿。由于TiB不與鋁合金發(fā)生反應(yīng),所以實現(xiàn)5A05鋁合金擴散釬焊的中間層是反應(yīng)金屬化 Al2O3陶瓷外層中的Ag、Cu基固溶體。以5A05/AgCu/5A05體系作為研究對象,闡明鋁合金擴散釬焊的物理過程,建立5A05鋁合金溶解量的數(shù)學(xué)模型,為反應(yīng)金屬化Al

6、2O3陶瓷與5A05鋁合金的擴散釬焊提供理論指導(dǎo)。
  在共晶溫度附近將 Al-Cu-Ag三元體系處理為 Al-AgCu偽二元體系。結(jié)合Al-Cu-Ag三元相圖,得到共晶溫度附近 Al元素的濃度分布。根據(jù)擴散定律及物質(zhì)的連續(xù)性方程,分析了5A05母材/AlCuAg液相界面和AlCuAg液相/AgCu中間層界面的移動,建立了5A05鋁合金的溶解量與擴散釬焊溫度、保溫時間以及中間層厚度的關(guān)系模型。
  在分析 Al2O3陶瓷反應(yīng)

7、金屬化以及5A05鋁合金擴散釬焊的基礎(chǔ)上,以反應(yīng)金屬化外層金屬固溶體厚度與擴散釬焊所需中間層厚度之間的關(guān)系為橋梁,提出了Al2O3陶瓷與5A05鋁合金高致密封接過程連接參數(shù)的優(yōu)化原則及方法。從Al2O3陶瓷與5A05鋁合金結(jié)構(gòu)件的性能要求、結(jié)構(gòu)形式出發(fā),以控制Al2O3陶瓷側(cè)界面反應(yīng)層厚度及5A05鋁合金溶解厚度為目的,合理選擇反應(yīng)金屬成分、添加量、反應(yīng)金屬化溫度、反應(yīng)金屬化時間以及擴散釬焊溫度、擴散釬焊時間等參數(shù),對 Al2O3陶瓷與

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