SiCp-AZ61鎂基復(fù)合材料的阻尼及蠕變性能的研究.pdf

1、顆粒增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料由于其密度低、比強(qiáng)度和比剛度高，同時(shí)還具有良好的耐高溫性、耐沖擊性和優(yōu)良的減震性能等優(yōu)點(diǎn)，引起了各國(guó)學(xué)者的廣泛關(guān)注。本文采用AZ61鎂合金作為基體：以SiC顆粒作為增強(qiáng)相，通過(guò)攪熔鑄造法制備SiCp/AZ61復(fù)合材料。利用金相顯微鏡觀察了攪拌鑄造法中不同工藝參數(shù)的金相組織，分析了攪拌鑄造工藝對(duì)復(fù)合材料微觀組織的影響。研究了復(fù)合材料中SiC顆粒和AZ61基體合金的復(fù)合形成機(jī)理。利用拉伸試驗(yàn)機(jī)測(cè)試了不同工藝參數(shù)下SiCp

2、/AZ61鎂基復(fù)合材料的力學(xué)性能。在此基礎(chǔ)上采用正交試驗(yàn)法對(duì)攪熔鑄造法的工藝進(jìn)行優(yōu)化，獲得了最佳的制備方案。 利用機(jī)械動(dòng)態(tài)熱分析儀(DMA-Q800)測(cè)試了AZ61基體合金及攪熔鑄造法制備SiCp/AZ61鎂基復(fù)合材料的阻尼性能和蠕變性能。通過(guò)研究AZ61基體合金和SiCp/AZ61復(fù)合材料的內(nèi)耗譜，分析應(yīng)變振幅、頻率和溫度對(duì)AZ61基體合金及SiCp/AZ6l復(fù)合材料阻尼性能的影響?；谖诲e(cuò)型阻尼機(jī)制和界面型阻尼機(jī)制的理論，深

3、入分析了SiCp/AZ61復(fù)合材料阻尼性能提高的原因。對(duì)室溫阻尼．應(yīng)變振幅的曲線研究表明，SiC顆粒的加入所引起的高密度的位錯(cuò)是室溫下SiCp/AZ61復(fù)合材料阻尼性能提高的主要原因；并且曲線可以采用G-L位錯(cuò)釘扎模型給予很好的解釋。對(duì)阻尼－溫度－頻率曲線的研究表明，高溫情況下鎂基復(fù)合材料阻尼性能提升可以歸因于復(fù)合材料中大量界面的微滑移。通過(guò)研究恒溫、恒載下，AZ61基體合金及攪熔鑄造法制備的SiCp/AZ61復(fù)合材料的蠕變曲線，可以發(fā)