硫化物晶膜的溶劑熱生長與性質(zhì)研究.pdf

1、溶劑熱法現(xiàn)被廣泛地應(yīng)用于科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)。到目前為止，用溶劑熱法合成出來了大量的無機及無機-有機雜化材料，也引起了人們越來越多的關(guān)注。但是，據(jù)我們所知，利用溶劑熱法在反應(yīng)性基片(金屬基片)上制備無機微米(納米)晶薄膜是最近發(fā)展起來的一種制備薄膜的新方法。本論文工作利用溶劑熱法來制備各種形態(tài)的微米(納米)晶薄膜，已成功在金屬片上制備出Cu2S、Cu2Se、Ni3S2和Ni-TCNQ四種微米(納米)晶薄膜。主要包括以下內(nèi)容： 一、

2、首先簡述了薄膜材料及其制備方法。然后介紹了溶劑熱法在金屬基片上制備薄膜材料研究進(jìn)展，重點總結(jié)了其他人利用溶劑熱法在金屬Zn、Cu、Ag、Fe、Ni、Sn、Pb、Ti等基片上制備的薄膜材料。最后簡要敘述了表面活性劑和表面活性劑在納米材料制備中的作用。 二、在溶劑熱條件下，將銅片、硫粉、及乙二胺直接反應(yīng)，并在反應(yīng)體系中加入表面活性劑CTAB，最終在銅片表面生成了六邊形的Cu2S微晶薄膜。薄膜經(jīng)XRD、SEM、TEM和光譜表征，發(fā)現(xiàn)表

3、面活性劑CTAB在Cu2S薄膜的形成過程中起了重要作用。在加CTAB的條件下，反應(yīng)時間大大地縮短了，并且得到的Cu2S薄膜具有規(guī)則且整齊的結(jié)構(gòu)。用溶劑熱法在銅基片上制備Cu2S薄膜的最大的優(yōu)點是該方法操作簡單、方便。 三、利用溶劑熱反應(yīng)，在不加入或加入表面活性劑的情況下，將銅基片分別放在Se/水合肼，Se/乙二胺，Se/氨水體系中反應(yīng)，最終成功地在銅片表面生成了Cu2Se薄膜。薄膜經(jīng)XRD、SEM、TEM和光譜表征。在水合肼反應(yīng)

4、體系中，得到的薄膜由六邊形的微米晶組成。當(dāng)CTAB加入到反應(yīng)體系中，得到的薄膜由樹葉狀的微米晶組成。而在乙二胺體系中，樹葉狀的微米晶變成起皺卷曲的形狀。 四、利用溶劑熱反應(yīng)，在反應(yīng)體系中不加入或加入表面活性劑的情況下，將鎳基片分別放在S/水合肼，S/NaCl溶液，S/水，S/乙二胺，S/二乙烯三胺體系中反應(yīng)，最終成功地在鎳片表面生成了規(guī)則形狀的Ni3S2薄膜。在不同反應(yīng)條件下生成的薄膜經(jīng)XRD表征，均為Ni3S2相。實驗發(fā)現(xiàn)得到