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1、有序的納米陣列結(jié)構(gòu)能夠合理控制材料的定向生長(zhǎng),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)其尺寸、維度、組成、晶體結(jié)構(gòu)乃至物性的調(diào)控,從而有利于在納米器件中的應(yīng)用。ZnO納米線與碳納米管,硅納米線被認(rèn)為是21世紀(jì)主要的納米材料,在光學(xué),光電子學(xué),能源,傳感器,生物醫(yī)學(xué),自旋電子學(xué)等眾多領(lǐng)域中有著重要的應(yīng)用。柔性器件技術(shù)因?yàn)楠?dú)特的柔韌性,便攜性,突破了傳統(tǒng)器件的應(yīng)用,被公認(rèn)為最具有發(fā)展前景的下一代器件技術(shù)。基于柔性基體的有序納米陣列結(jié)構(gòu)的制備在柔性器件的發(fā)展中是至關(guān)重要的
2、。目前ZnO納米陣列的制備主要是基于單晶硅片,導(dǎo)電玻璃等剛性基體,基于柔性基體的ZnO納米陣列的制備技術(shù)正是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。本論文主要研究基于柔性基體的ZnO有序納米陣列結(jié)構(gòu)的液相法合成,并且對(duì)于ZnO納米陣列結(jié)構(gòu)在一般基體上生長(zhǎng)機(jī)理做了一定的探索。主要內(nèi)容歸結(jié)如下:
1.通過(guò)結(jié)合電鍍技術(shù),我們?cè)谌嵝越饘賹?dǎo)電基體上,采用硝酸鋅/氨水體系,在電鍍鋅層上成功制備了ZnO納米線陣列,ZnO納米線陣列完全是垂直于電鍍鋅層生長(zhǎng)的,并
3、且其分布能夠復(fù)制電鍍鋅層的表面形貌。通過(guò)對(duì)電鍍鋅層的形貌控制,能夠?qū)崿F(xiàn)ZnO納米陣列的立體圖形化制備。
2.研究了不同的生長(zhǎng)條件對(duì)ZnO納米線陣列合成的影響,如氨水的量、溫度、Zn2+的濃度,同時(shí),通過(guò)改變氨水的量與反應(yīng)溫度,還獲得了納米線陣列之外的在基體上均勻分布的ZnO納米花狀結(jié)構(gòu)和納米片陣列結(jié)構(gòu)。
3.通過(guò)對(duì)ZnO納米結(jié)構(gòu)的發(fā)光性能研究,我們發(fā)現(xiàn)這些ZnO的納米結(jié)構(gòu)具有強(qiáng)烈的紫外激子發(fā)光。這里,我們給出
4、了的是一種簡(jiǎn)單的可放大的于柔性基體之上制備ZnO納米線陣列的方法,它將可用于制備柔性器件,如太陽(yáng)能電池、氣敏傳感器等。
4.我們研究了六亞甲基四胺,氨水,乙二胺等不同Zn2+離子的配體在液相法制備ZnO納米陣列結(jié)構(gòu)的作用機(jī)理。通過(guò)測(cè)量不同配體溶液與基體間的界面張力,結(jié)合過(guò)飽和度對(duì)晶體形核的影響,基體對(duì)晶核排布的影響,我們發(fā)現(xiàn)配體濃度的改變,可以改變ZnO晶體在基體上形核成的晶核的分布,從而可以控制有序納米陣列結(jié)構(gòu)的制備。通
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