超高真空CVD技術(shù)生長(zhǎng)Ⅳ族半導(dǎo)體材料及其性能研究.pdf

1、浙江大學(xué)博士學(xué)位論文超高真空CVD技術(shù)生長(zhǎng)Ⅳ族半導(dǎo)體材料及其性能研究姓名：黃靖云申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：半導(dǎo)體材料指導(dǎo)教師：葉志鎮(zhèn)2000.5.1簍苧簍!塑!簍皇蹬!苧查壘苧!!苧簍!堡竺塾壘苧竺苧曼翌—一使趣uⅣ昭vD技術(shù)在850℃低渥下初步生長(zhǎng)硅基碳化硅薄膜，對(duì)薄膜的組分及結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。在這蟪實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)七，作者對(duì)臨界厚度、表蔭和過渡區(qū)進(jìn)行了深入的理論搽討。穩(wěn)賽簿度靜簪究對(duì)si，。Ge蘆i異矮結(jié)鞠豹生長(zhǎng)其棗蓬要熬意義。我們?cè)诰嗪穸?/p>

2、灼計(jì)算中，第一次引入了熱應(yīng)力的影響，锝到了一個(gè)顴的臨界厚度理論計(jì)算公式，計(jì)算值弓People的實(shí)驗(yàn)值更相近。材料表面的組分變化情況、氯化情況對(duì)材料的性能有重要的影響，本文；t舔SIMS積XPS手段對(duì)我稍生長(zhǎng)靜SiGe臺(tái)金靜表露進(jìn)行7輯究。發(fā)瑤＆豹綴分在表露，j、予釙延層體痰，我們分援與氧餞傳臻毒關(guān)。陡峭的過渡區(qū)是生長(zhǎng)高頻器件的關(guān)鍵，本文對(duì)影響過渡區(qū)的各種因素進(jìn)行了分析，第一次提出了組分過渡區(qū)的概念，戍用擴(kuò)散理論進(jìn)行了分析?？傊覀兊膶?shí)