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文檔簡介
1、新一代光纖通信系統(tǒng)的發(fā)展必然要以新型通信光電子集成器件作為支撐。而通信光電子集成器件研究所面臨的最突出問題是半導(dǎo)體材料兼容、結(jié)構(gòu)兼容和工藝兼容，其中如何實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料異質(zhì)兼容最為重要?！ ”菊撐膰@著光電子集成中的大失配異質(zhì)兼容(異材料系兼容)問題、集成光電子器件中特殊功能微結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵制備工藝、基于特殊功能微結(jié)構(gòu)的新型WDM集成解復(fù)用接收器件的研制等開展了大量研究工作，并已取得以下主要研究成果：1、初步形成了新型材料系預(yù)測的理論框架，
2、理論上預(yù)測了BInAlAs/GaAs、BInGaAs/GaAs、BGaAsSb/GaAs和BGaPSb/Si四種材料系。2、利用低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(LP-MOCVD)技術(shù)，開展了基于低溫非晶緩沖層的InP/GaAs直接異質(zhì)外延生長。3、深入研究了基于硫脲溶液表面改性處理的、簡單且無毒性的InP/GaAs低溫晶片鍵合工藝.4、利用選擇性濕法刻蝕技術(shù)攻克了InP-空氣隙DBR微結(jié)構(gòu)的制作工藝。5、首次研制成功了基于InP-空氣隙D
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