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文檔簡介
1、本文對單片集成通信光電子器件中異質(zhì)兼容問題的理論進行了實驗研究。主要成果如下： 1.采用基于密度泛函理論(DFT)的平面波贗勢計算程序CASTEP，在周期邊界條件下的k空間中，系統(tǒng)地對BP、BAs、BSb的晶格常數(shù)，體變模量，能帶結(jié)構(gòu)進行了計算機模擬。充分考慮了DFT對能帶帶隙低估的這一缺點，對它們的能帶帶隙進行了修正。。 2.計算了BInAs、BGaAs等十一種三元系材料Г點的bowing參數(shù)。 3.形成了新型
2、材料系預(yù)測理論的初步框架，理論預(yù)測了BI-nAlAs/GaAs、BInGaAs/GaAs、BGaAsSb/GaAs和BGaPSb/Si四種材料系。 4.針對垂直式MOCVD反應(yīng)室的情況，使用有限元法建立了二維的流體理論模型，對不同的反應(yīng)室壓力和襯底轉(zhuǎn)速條件下其熱場和流場進行了模擬和分析。 5.在基于超薄低溫緩沖層的InP/GaAs的異質(zhì)外延生長方面取得重要進展。通過優(yōu)化生長條件，利用低壓金屬有機物化學(xué)氣相沉積(LP-MO
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