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1、該文以硅基異質(zhì)外延生長(zhǎng)超薄晶體膜為目標(biāo),研究外延生長(zhǎng)初期原子沉積過(guò)程、分形生長(zhǎng)及團(tuán)簇生長(zhǎng)機(jī)制、外延條件對(duì)成核長(zhǎng)大等影響情況.文中首先總結(jié)和歸納了計(jì)算機(jī)模擬方法的特點(diǎn),闡述了它們之間的區(qū)別與聯(lián)系,在此基礎(chǔ)上,建立起一種新的模型,并成功地編制了計(jì)算程序,對(duì)薄膜生長(zhǎng)初期的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了模擬.鉑硅(PtSi)紅外探測(cè)器其特點(diǎn)是PtSi膜與Si粘附性好,應(yīng)力小,接觸電阻小,性能穩(wěn)定,而且膜層越薄,其器件的量子效率越高.因此,納米級(jí)PtSi膜的制
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