共濺射生長硅基NbTiN超導超薄薄膜.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文研究硅基超導氮化鈦鈮（NbTiN）薄膜的制備技術。針對NbTiN與硅基片晶格失配度較高導致超導性能的下降的難題，主要開展兩方面的工作：一、研究采用在單晶硅片上低溫條件下快速生長250nm厚磷摻雜 SiO2（PSG）薄膜作為硅與超導薄膜的過渡層；二、采用共濺射技術在PSG/Si基片上生長出高質量的NbTiN超薄超導薄膜。結果表明：在6小時較短時間在單晶硅片生長250nm厚度的PSG薄膜，且 PSG薄膜的相結構和光學性能和常規(guī)熱氧化生

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