基于溶劑熱法制備CuInSe2、CuIn(SxSe1-x)2薄膜.pdf

1、自從1976年被發(fā)現(xiàn)以來(lái)，混合物半導(dǎo)體CIS(CuInSe2、CuIn(SxSe1-x)2、CuInS2)就作為當(dāng)今熱門(mén)的太陽(yáng)能材料而廣受關(guān)注。作為黃銅礦相的半導(dǎo)體，CuInSe2、CuIn(SxSe1-x)2、CuInS2分別具有從1.04eV到1.55eV的帶隙寬度區(qū)間，而最適合吸收太陽(yáng)光的帶隙寬度是1.45eV，所以CIS很適合做高效率太陽(yáng)能電池的材料。另外，CIS還具有長(zhǎng)期穩(wěn)定、無(wú)毒等優(yōu)點(diǎn)。
　　 本論文研究的是溶劑熱法

2、制備的CIS。溶劑熱法制備的CIS納米顆?？梢灾苽涑呻姵仄骷壳耙呀?jīng)可以做到6.7％的效率。不同于傳統(tǒng)的制備CIS電池的真空法，諸如真空蒸鍍法和濺射法，溶劑熱法具有相對(duì)簡(jiǎn)單的制備過(guò)程和低廉的成本，適合做薄膜太陽(yáng)電池的大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
　　 溶劑熱法制備CuInSe2、CuIn(SxSe1-x)2、CuInS2薄膜的具體工藝稍有不同。CuInSe2和CuInS2都可以用溶劑熱法直接產(chǎn)生，然后分別經(jīng)硒化和硫化后制成CuInSe2

3、和CuInS2薄膜。CuIn(SxSe1-x)2有兩條工藝路徑，一條是先用溶劑熱法制成CuInSe2粉體，涂膜后硫化制成CuIn(SxSe1-x)2薄膜。另一條是用溶劑熱法制備CuIn(SxSe1-x)2粉體，然后硒化或硫化制成薄膜。本論文只研究了溶劑熱制備CuIn(SxSe1-x)2粉體，沒(méi)有研究后期成膜的過(guò)程。影響溶劑熱法產(chǎn)物的主要因素有前驅(qū)溶劑的元素比例，高溫反應(yīng)的溫度，以及反應(yīng)的時(shí)間。通過(guò)調(diào)節(jié)這三個(gè)要素，不但可以控制反應(yīng)產(chǎn)物的質(zhì)