ZnO薄膜制備及性質(zhì)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、我們采用真空蒸發(fā)沉積Zn膜,然后熱氧化Zn膜制備出c軸擇優(yōu)定向好的ZnO薄膜.熱氧化蒸發(fā)Zn膜制備ZnO的條件被優(yōu)化.討論了薄膜的擇優(yōu)定向生長過程、特點及影響因素.磁控濺射在最佳條件下可以得到均勻、致密、有良好的c軸取向性和可見光波段透明性好等優(yōu)點的薄膜,使得它成為在ZnO制備中研究最多并且最廣泛使用的方法.我們采用DC反應(yīng)磁控濺射制備了ZnO和ZAO薄膜.討論了磁控濺射ZnO薄膜的原理、影響ZnO薄膜質(zhì)量的因素.用SEM表征ZnO薄膜

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