ZnO基透明氧化物薄膜制備和性質(zhì)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、ZnO是一種具有廣泛用途的新型Ⅱ-Ⅵ族多功能半導(dǎo)體材料，其室溫禁帶寬度是3.37eV，具有良好電學(xué)和光學(xué)特性，是制作紫外探測(cè)器件和紫外發(fā)光器件的理想材料。
　　 目前生長(zhǎng)較高質(zhì)量的ZnO薄膜通常采用藍(lán)寶石，GaN或ZnO單晶為襯底，因?yàn)樗麄兣cZnO晶格失配較小，但這幾種材料價(jià)格昂貴，導(dǎo)電性差，難以集成。而在Si襯底上生長(zhǎng)ZnO薄膜則可以克服以上缺點(diǎn)，但單晶Si與ZnO的晶格失配很大，很難在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的ZnO薄膜。本論文

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