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文檔簡介
1、ZnO是一種具有廣泛用途的新型Ⅱ-Ⅵ族多功能半導(dǎo)體材料,其室溫禁帶寬度是3.37eV,具有良好電學(xué)和光學(xué)特性,是制作紫外探測器件和紫外發(fā)光器件的理想材料。
目前生長較高質(zhì)量的ZnO薄膜通常采用藍寶石,GaN或ZnO單晶為襯底,因為他們與ZnO晶格失配較小,但這幾種材料價格昂貴,導(dǎo)電性差,難以集成。而在Si襯底上生長ZnO薄膜則可以克服以上缺點,但單晶Si與ZnO的晶格失配很大,很難在Si襯底上生長高質(zhì)量的ZnO薄膜。本論文
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