鐵鈍化多孔硅中的光、電行為研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩96頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、研究了p型多孔硅(PS)的輸運性質(zhì).實驗證明PS中存在兩條導電通道,從金屬電極注入到PS中的絕大多數(shù)電子將通過雜質(zhì)能級(低阻通道),而只有極少數(shù)的電子到達導導帶(高阻通道),這必然導致p型PS的電致發(fā)光效率很低.研究了外加電壓對p型PS光致發(fā)光(PL)特性的影響.采用建立在顆粒尺寸對數(shù)正態(tài)分布基礎(chǔ)上的模型成功擬合了水熱法制備的普通PS和鐵鈍化多孔硅(IPS)的PL譜.分析表明IPS中硅納米晶粒的尺寸分布空氣中存放時間的延長而發(fā)生變化.晶

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論