多孔硅光伏效應(yīng)的研究.pdf

1、1990年以后，多孔硅的光致發(fā)光及電致發(fā)光的發(fā)現(xiàn)，為實(shí)現(xiàn)全硅基光電器件帶來(lái)了曙光。經(jīng)過(guò)十幾年的研究，多孔硅的制備和性能研究都有了很大進(jìn)展，但仍然有許多重要問(wèn)題沒(méi)有解決。 本文在綜述目前多孔硅的主要研究成果的基礎(chǔ)上，研究了多孔硅的結(jié)構(gòu)與多孔硅光伏性能的關(guān)系，并對(duì)多孔硅基光伏材料進(jìn)行了研究。通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，在p型單晶硅表面制備多孔硅薄膜，對(duì)單晶硅的光電壓信號(hào)有很大提高，可以增強(qiáng)硅片的光伏效應(yīng)。 通過(guò)在有p-n結(jié)的單晶硅表面用磁

2、控濺射鍍膜機(jī)鍍上一層TiO<,2>納米結(jié)構(gòu)薄膜，利用表面光電壓譜(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO<,2>/n-Si/p-Si的表面光伏特性，可以得出結(jié)論：TiO<,2>/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效應(yīng)比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高，在300～600℃熱處理溫度范圍內(nèi)TiO<,2>/n-Si/p-Si的光伏效應(yīng)隨溫度的升高而增強(qiáng)，600～800℃范圍內(nèi)隨溫度的升高而降低。 通過(guò)離子

3、注入技術(shù)對(duì)單晶硅和多孔硅進(jìn)行氬離子和氮離子注入處理，然后再900℃的溫度下退火，在不同的注入條件下研究其注入前后光伏效應(yīng)的變化情況，并用掃描電鏡研究其微觀結(jié)構(gòu)。通過(guò)比對(duì)諸如前后的樣品，可以得出結(jié)論：注入氮離子的單晶硅的光電壓信號(hào)比沒(méi)有注入氮離子的單晶硅增強(qiáng)了近三倍，而注入氬離子的單晶硅的光電壓信號(hào)比沒(méi)有注入氬離子的單晶硅增強(qiáng)了七倍左右。而注入氮離子的多孔硅和注入氬離子的多孔硅的光伏效應(yīng)比沒(méi)有注入氮離子和氬離子的多孔硅的光伏效應(yīng)有很大提高