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文檔簡介
1、本文所研究的變換器有源集成封裝技術(shù),摒棄傳統(tǒng)的引線鍵合,采用金屬化沉積的方法實(shí)現(xiàn)互連,減少寄生電感,降低了開關(guān)損耗和電應(yīng)力;同時(shí)采用三維封裝結(jié)構(gòu)通過雙面散熱來提高模塊的散熱性能,進(jìn)而減少包含散熱器在內(nèi)的有源功率部分體積。從而實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高功率密度、高效率,是除器件本體之外電力電子技術(shù)發(fā)展的又一巨大推動(dòng)力。
本文首先研究了包含寄生參數(shù)在內(nèi)的開關(guān)損耗和電應(yīng)力的精確數(shù)學(xué)模型,舉例計(jì)算,并通過Saber仿真驗(yàn)證了模型的正確性。基
2、于所建立的數(shù)學(xué)模型,推導(dǎo)出各寄生電感與開關(guān)損耗和電應(yīng)力的量化關(guān)系。得出共源極寄生電感主要影響開關(guān)損耗,漏極電感主要影響電應(yīng)力的結(jié)論,從而為有源封裝技術(shù)可以提高變換器電氣性能提供了理論依據(jù)。
其次針對(duì)現(xiàn)有的嵌入式三維有源集成封裝技術(shù)進(jìn)行研究,探索原有封裝工藝在產(chǎn)業(yè)化過程中存在的問題,并進(jìn)行改進(jìn),從而實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。同時(shí),本文對(duì)封裝對(duì)象進(jìn)行了論證,最后選擇以功率變換單元為封裝對(duì)象,最大程度地減少了系統(tǒng)的寄生電感,并減少了功率回路面積,
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