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文檔簡介
1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文銅布線阻擋層與CSP封裝中的失效分析姓名:龐恩文申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師:林晶鄭國祥2002.5.24AbstractThefeaturedimensionofICdeviceisdecreasingtodeepsub—micronThemarketneedstheICchipwithfasterspeed,betterreliabilitylowerpowerconsumption,sligh
2、ternoiseandaffordablecostTosatisfysuchanever—increasingneed,peoplearedevelopingnewmaterials,processandtechnologies,inwhichcoppermetallizationandCSPpackagingaretWOtechnologiesbeenfocusedbyICindustryIt’Swellknowntherewillb
3、ealotoffailureandreliabilityissueswhenanewtechnologyisstartingupFailureanalysisistherightwaytoensurethesuccessfulapplicationofnewtechnologybyfindingtherootcauseThisthesisisfocusingonthefailureofcoppermetallizationandCSPp
4、ackagingParttwoisthefailureanalysisofTaFilmasDiffusionBarrierintheCopperMetallizationFirstlyweinvestigatedthebarriercapabilityofTafilmthatwaspreparedwithdifferentSisubstratecleaningprocessandfoundthatcleantheSisubstratep
5、roperlywasessentialtoagooddiffusionbarrierSecondlywecomparedthebarrierpropertyofTafilmdepositedwithdifferentrateandbroughtoutthefailuremechanismofdiffusionbarrierItwasfoundthattheTafilmwimlowerdepositratehasbetterbarrier
6、qualityowningtothesmallerareaofcrystalinterfaceandfewerfilmdefectsThisstudyalsoshowstherecrystallizeofTafilmduringannealingwasonemainfactorcausingthefailureofdifmsionbarrierParttwoisthefailureanalysisofinnerdiecrackissue
7、ofCSPpackage(vfBOA)First,Asuitable3DmodelandtheminimumstresscausingdiecrackareachievedbymodelingandestimatingThen,wesimulatedtheimpactofdiethicknesschangetothestressdistributiononunitandfoundthatsamekindofunitwimdi任jrent
8、thickneSSdiehassimilarperformanceunderequalexternalloadsFinallytherootcauseofinnerdiecrackispredictedandfoundafterthesimulationoftherealtestprocessItwasthegreatStressinducedbytheabnormalcontactbetweenthetestingequipmenta
9、ndvfBGAunitthatcausedtheinnerdiecrackAfterimprovethetestprocessofInteltechnology(China)Lmd,thefailurerateofvfBGAunitshasfallenfrom1800DPMtobelow100DPMKeyWords:FailureAnalysis,CopperMetallization,DiffusionBarrierANSYS,vfB
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