增強(qiáng)型與耗盡型集成VDMOS設(shè)計(jì).pdf

1、近年來，功率集成電路得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展，集成度越來越高。作為最常見的高壓功率器件之一，VDMOS更多地集成在芯片里，而不僅僅以分立器件的形式出現(xiàn)。為了將高壓功率開關(guān)與高壓控制電路集成在一起，出現(xiàn)了增強(qiáng)型與耗盡型VDMOS的集成。論文設(shè)計(jì)的增強(qiáng)型與耗盡型集成VDMOS擊穿電壓BV為650V。 對(duì)于增強(qiáng)型與耗盡型集成VDMOS的設(shè)計(jì)，首先要解決工藝集成的問題，即如何在一套工藝下同時(shí)實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型VDMOS和耗盡型VDMOS，在參考了增

2、強(qiáng)型VDMOS的工藝流程并對(duì)耗盡管的結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析之后，確定了能同時(shí)形成增強(qiáng)管和耗盡管的工藝流程。通過理論公式初步計(jì)算出兩管的結(jié)構(gòu)參數(shù)，通過T-CAD軟件進(jìn)行模擬仿真，確定參數(shù)最優(yōu)值，最后通過對(duì)工藝偏差進(jìn)行仿真，改進(jìn)設(shè)計(jì)。為了避免增強(qiáng)管與耗盡管工作時(shí)互相干擾，論文設(shè)計(jì)了隔離結(jié)構(gòu)。 對(duì)流水生產(chǎn)的增強(qiáng)型與耗盡型集成VDMOS進(jìn)行封裝和測試。經(jīng)測試，增強(qiáng)管BV為693V，Vth為2．89V，導(dǎo)通電阻為5．3Ω；耗盡管BV為687V，Vt