氧化物摻雜ATO納米粉體的制備及其性能研究.pdf

1、本研究納米透明導電材料的制備及應用研究在國外特別是美國、日本很受重視,目前已經(jīng)進入生產(chǎn)階段.而我國在這方面的研究才剛剛起步,產(chǎn)品主要依靠進口.本試驗目的是提高產(chǎn)品性能,替代進口.以SnCl<,4> 5H<,2>O和SbCl<,3>為原料,采用醇鹽水解法制備銻摻雜二氧化錫(ATO)納米導電粉體,重點研究多種氧化物摻雜ATO提高粉體的光電性能,取得了顯著的成效.系統(tǒng)研究了醇鹽水解法的工藝,并考察了醇化溫度、水解溫度、摻雜濃度、水解酸度、表面

2、活性劑種類以及煅燒溫度等對粉體粒徑及電學性能的影響規(guī)律,對實驗結果進行了討論,優(yōu)化實驗條件,并進行了綜合實驗研究.為使粉體的各項性能得到提高嘗試著用多種氧化物摻雜,發(fā)現(xiàn)在一定摻雜范圍內(nèi),摻雜氧化錳粉體的電阻率降低57.9﹪,摻雜氧化鋅粉體的電阻率將降低54.3﹪.摻雜氧化鋯,膜的透光率將會降低12﹪;摻雜氧化鋅,膜的透光率降低7.33﹪.摻雜氧化鋯,氧化錳,氧化鋅對粉體顏色變化不大.而摻雜氧化鈦,氧化硅,氧化鐵,氧化鉻對粉體顏色變化大,

3、尤其隨著摻雜量的增加變化更大,粉體顏色趨于發(fā)白.摻雜氧化硅和氧化鐵顯著減小粒徑,同時氧化硅使得制備薄膜時對基體的粘附性更好.摻雜氧化鋯將會稍微減小粒徑,摻雜氧化錳和氧化鈦對粉體粒徑影響不大,而摻雜氧化鉻和氧化鋅將會增大粉體的粒徑.所有摻雜的氧化物都會減少團聚.運用差熱分析(DTA)、X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、測量比表面等現(xiàn)代檢測手段對微粉進行了表征,并測量了粉體的電阻率和透光率.選用最佳試驗條件所制備