大功率白光LED的可靠性與熱模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、發(fā)光二極管(LED)是一種新型環(huán)保發(fā)光指示、照明材料,大功率LED是指功率大于1W的LED,由于體積小、功率大,散熱壓力大, LED芯片結(jié)溫與其失效密切相關(guān),且芯片功率超大化,導(dǎo)致目前大功率LED的散熱越來越成為制約其發(fā)展的瓶頸問題。如何正確地分析其失效原因,從而尋找出應(yīng)對提前失效的方法,進行有針對性的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計,對于推動大功率LED在照明領(lǐng)域內(nèi)的進一步應(yīng)用具有重要意義。 本文介紹了LED和斷裂力學(xué)在實際中的應(yīng)用,解釋LED可

2、靠性的基本理論和方法,考慮熱導(dǎo)率與散熱方式的影響,使用大型有限元軟件ANSYS10.0模擬并分析了大功率LED熱分布,通過分析不同封裝、熱沉材料及散熱方式對LED熱分布與最大散熱能力的影響,指出解決LED散熱問題的關(guān)鍵不是尋找高熱導(dǎo)率的材料,而是改變LED的散熱結(jié)構(gòu)或者散熱方式。再從斷裂失效的基本原理出發(fā),詳細(xì)解釋了在微觀狀態(tài)下晶格失配等微缺陷原因引起的失效,并進一步闡述了如何將該原理應(yīng)用于本論文所研究的LED模型當(dāng)中;緊接著解釋了LE

3、D芯片的失效原因,指出其根本的原因來源于內(nèi)部的原有微缺陷或裂紋的擴展。最后,通過對格里菲斯判據(jù)的介紹,引出對LED失效過程的斷裂力學(xué)分析,通過對SiC芯片的數(shù)值計算,得出了結(jié)論。 前人的研究基本上都是通過對LED的電性能、光性能,以及失效芯片的微觀分析來推斷、闡述LED的運行或者壽命情況,只屬于宏觀認(rèn)識,過于直觀而不能從根本上對LED的失效機理作出微觀意義上的解釋。而本文通過對LED產(chǎn)品芯片部分采用斷裂力學(xué)方法研究,通過數(shù)值計算

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