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文檔簡(jiǎn)介
1、半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和發(fā)展,要求深入理解外延生長(zhǎng)的基本物理過(guò)程,分析生長(zhǎng)條件對(duì)外延薄膜質(zhì)量的影響,以便更好地控制薄膜工藝以及薄膜的結(jié)構(gòu)和性能,得到高質(zhì)量的外延薄膜和預(yù)期的器件結(jié)構(gòu)。隨著器件體積不斷減小,外延薄膜的表面或界面已經(jīng)成為器件的重要組成部分,其表面形貌對(duì)器件性能的影響越來(lái)越大。本文主要研究 MBE生長(zhǎng) InGaAs/GaAs薄膜表面粗糙化與As保護(hù)氣壓的關(guān)系,獲得在退火過(guò)程中不同 In組分 InGaAs/GaAs外延薄膜表面形貌隨A
2、s保護(hù)氣壓的變化規(guī)律。
1.研究 MBE/LT-STM的調(diào)試,總結(jié) MBE/LT-STM調(diào)試的成功經(jīng)驗(yàn)和注意事項(xiàng),規(guī)范儀器設(shè)備的操作。同時(shí),對(duì)樣品盤進(jìn)行改進(jìn),拓展了儀器的研究范圍。
2.成功設(shè)計(jì)并制備 STM用探針的電化學(xué)腐蝕裝置,總結(jié)該裝置制備高質(zhì)量 STM用探針的操作方法,制備了高質(zhì)量 STM用探針。
3.研究 InGaAs/GaAs異質(zhì)外延薄膜表面的粗糙化過(guò)程,研究發(fā)現(xiàn):在退火過(guò)程中,退火溫度和時(shí)間相
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