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1、以Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料為代表的第三代信息功能材料是近年來半導(dǎo)體器件研究領(lǐng)域中的熱點.Ⅲ族氮化物材料由于其特有的性能引起了相關(guān)研究人員很大的興趣.發(fā)展新合成方法、拓展新體系、合成新結(jié)構(gòu)、探索新性能及其應(yīng)用是當(dāng)今重要的前沿研究內(nèi)容.Ⅲ族氮化物低維材料的合成是相關(guān)研究的基礎(chǔ),本論文采用了不同與以往通過氣相法合成Ⅲ族氮化物材料的方法,從一個全新的角度研究和開發(fā)了Ⅲ族氮化物材料的新的制備路線:通過使用硬模板和軟模板(表面活性劑)分別與低溫溶劑熱方法
2、、溶膠-凝膠法以及微波輔助法相結(jié)合制備出具有新穎結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物材料,對生成產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)和性能進行了XRD、SEM、TEM、BET等表征.首次以十二烷基硫酸鈉(SDS)為軟模板,通過低溫溶劑熱方法制備出了具有孔狀結(jié)構(gòu)的氮化鋁材料;以碳球為硬模板,通過溶劑熱方法制備出了具有陀螺狀結(jié)構(gòu)的氧氮化鎵材料;以二甲基二氯硅烷和四氯化硅為硅源可分別得到層狀和多孔狀結(jié)構(gòu)的氮化硅材料.討論了反應(yīng)原料、反應(yīng)溶劑、反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間以及表面活性劑的種類和濃度對
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