Ag-TCNQ電雙穩(wěn)態(tài)薄膜及其熱處理和電場效應(yīng)的研究.pdf

1、該文研究的主要目的是:通過改進(jìn)Ag-TCNQ電雙穩(wěn)態(tài)薄膜的制備工藝,以期獲得表面顆粒細(xì)小、分布均勻、平整有序的薄膜;在此基礎(chǔ)上,對(duì)其電雙穩(wěn)態(tài)特性進(jìn)行深入細(xì)致的研究.研究的主要內(nèi)容與成果如下:1)在薄膜制備工藝中,引進(jìn)后熱處理工藝,確立了合適的熱處理工藝條件(溫度約120℃,處理時(shí)間為30min),制備獲得了顆粒細(xì)小均勻的Ag-TCNQ薄膜,顆粒大小可達(dá)20nm,比傳統(tǒng)的熱蒸發(fā)制備的薄膜提高了一個(gè)數(shù)量級(jí).并通過各種分析手段如可見光透射譜、

2、XRD、FTIR等對(duì)熱處理效應(yīng)進(jìn)行分析、解釋.2)利用XPS對(duì)各種樣品(TCNQ粉末、薄膜,熱處理前后的Ag-TCNQ薄膜)進(jìn)行分析,主要比較了N 1s、C 1s譜圖.3)利用電極夾層結(jié)構(gòu)和STM兩種方式對(duì)Ag-TCNQ薄膜進(jìn)行電雙穩(wěn)態(tài)特性的研究,在此基礎(chǔ)上,獲得了納米存儲(chǔ)點(diǎn)陣,大小為20nm,并制備了長約450nm的納米導(dǎo)線.4)研究了電場對(duì)成膜過程的影響,通過STM掃描圖像及電特性測(cè)試,可知電場能降低薄膜的閾值電壓,測(cè)得的閾值電壓值