高溫壓力傳感器的研制與計(jì)算機(jī)模擬.pdf

1、高溫壓力傳感器因其特殊的應(yīng)用環(huán)境而日益受到人們的重視。在石油，化工，冶金，航空航天等領(lǐng)域，對高溫環(huán)境下的壓力測試是必要的。多晶硅高溫壓力傳感器和SOI 高溫壓力傳感器是目前傳感器市場上，用于在高溫壓力測量領(lǐng)域中替代普通擴(kuò)散硅壓力傳感器的理想產(chǎn)品。 本文論述了一種新型多晶硅-AlN 薄膜高溫壓力傳感器的研制，它綜合考慮了多晶硅高溫壓力傳感器和SOI 高溫壓力傳感器的優(yōu)點(diǎn)，并結(jié)合了MEMS 制作工藝技術(shù)。其要點(diǎn)是在力敏電阻條與硅彈性

2、膜之間利用氮化鋁進(jìn)行絕緣隔離。氮化鋁與硅的熱膨脹系數(shù)接近，附著力高，耐擊穿性好。又具有高化學(xué)穩(wěn)定性，高熱導(dǎo)率，對于壓力傳感器的電橋散熱特別有利，可解決壓力傳感器啟動(dòng)時(shí)的零點(diǎn)時(shí)漂。由于無p－n 結(jié)，力敏電阻無反向漏電，依此制造的壓力傳感器的特性好（零點(diǎn)電漂移及熱漂移小、非線性?。?。力敏電阻條由多晶硅構(gòu)成。利用Al 誘導(dǎo)退火能使濺射得到的非晶硅在600℃時(shí)轉(zhuǎn)化成為多晶硅。利用濕法刻蝕電阻圖形，并采用各向異性腐蝕技術(shù)制作硅杯，最后使用PbO-