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文檔簡介
1、單晶硅SOI高溫壓力傳感器是一種新型的半導(dǎo)體壓力傳感器.它比擴(kuò)散硅壓力傳感器具有更高的工作溫度,比多晶硅高溫壓力傳感器具有更高的工作靈敏度.借助于大型有限元分析軟件ANSYS,我們對單晶硅SOI高溫壓力傳感器芯片在受外界壓力作用時的應(yīng)力分布情況進(jìn)行了模擬,確定了應(yīng)力膜上的應(yīng)力分布狀況.根據(jù)模擬結(jié)果并結(jié)合單晶硅材料和SOI結(jié)構(gòu)的特點,我們設(shè)計了一種新型的方形應(yīng)力膜單晶硅SOI高溫壓力傳感器芯片.同時,為了與多晶硅壓力傳感器進(jìn)行比較,我們還
2、設(shè)計了一種矩形膜壓力傳感器芯片,它采用了與多晶硅壓力傳感器相同的圖形結(jié)構(gòu).我們在工藝上首次實現(xiàn)了方形膜的單晶硅SOI高溫壓力傳感器芯片.它采用硅片直接鍵合減薄的SOI材料,利用等離子干法刻蝕來光刻電阻圖形,并采用各向異性腐蝕技術(shù)制作硅杯.我們對矩形應(yīng)力膜的單晶硅SOI高溫壓力傳感器進(jìn)行了測試和性能分析,并同與其具有相同圖形結(jié)構(gòu)的多晶硅高溫壓力傳感器進(jìn)行了比較.分析比較的結(jié)果表明,單晶硅SOI高溫壓力傳感器具有良好的高溫特性,同時比多晶硅
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