SOI材料的制備及納米空腔吸雜.pdf

1、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所碩士學(xué)位論文SOI材料的制備及納米空腔吸雜姓名：吳雁軍申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：張苗林成魯20030701優(yōu)異。并在此基礎(chǔ)上分析了SmartcutSOI材料中應(yīng)變產(chǎn)生的機制，討論認為氧化埋層厚度的增加使得頂層硅中應(yīng)力及應(yīng)力梯度增大，從而引起材料電學(xué)性能的變化，為了減少應(yīng)變，可在不改變埋層厚度的前提下適當加大頂層硅的厚度。氫!氫基洼厶劍備簽Q!撾魁友亙：研究了氫、氧共注入制備

2、SOI材料的新技術(shù)。氫注入后退火所形成的空腔、空位等缺陷對離子注入的氧產(chǎn)生強吸附作用，為氧化埋層提供了聚合中心：空位(腔)層在較低的溫度下己開始吸附注入的氧，將有可能顯著降低常規(guī)SIMOX工藝中的退火溫度：空位(腔)層能吸附氧離子注入產(chǎn)生的間隙原子，從而降低下界面處的缺陷密度：吸附、沉積在納米空腔壁上的氧，抑制了空腔的遷移與聚合，從而防止過大的空腔形成，有利于氧化埋層的形成；在氧離子、氫離子先后注入的情況下，相同劑量但不同能量注入的氫離