半導(dǎo)體納米分子燈塔探針.pdf

1、近年來(lái)，半導(dǎo)體納米材料已經(jīng)引起了科研人員的廣泛關(guān)注。由于半導(dǎo)體納米晶體，也稱(chēng)量子點(diǎn)(QDs)具有特殊的熒光性能，已被應(yīng)用于發(fā)光二極管、光電子裝置，以及生物標(biāo)識(shí)等領(lǐng)域。尤其，它作為熒光標(biāo)識(shí)在納米生物技術(shù)和生物傳感器領(lǐng)域中的應(yīng)用已展現(xiàn)出一個(gè)嶄新的、有著廣泛開(kāi)發(fā)和應(yīng)用前景的高新技術(shù)領(lǐng)域。 本課題主要研究了CdTe量子點(diǎn)的合成和以CdTe量子點(diǎn)為熒光劑，DABCYL為淬滅劑的分子燈塔探針的合成：一、CdTe量子點(diǎn)的合成。在CdCl2的水

2、溶液中，加入巰基乙酸(TGA)作為穩(wěn)定劑，攪拌并調(diào)節(jié)pH值，90℃回流反應(yīng)，不同回流時(shí)間得到不同粒徑的CdTe量子點(diǎn)。隨回流時(shí)間增加，CdTe量子點(diǎn)不斷生長(zhǎng)，熒光發(fā)射峰和紫外吸收峰逐漸紅移。用電子隧道掃描顯微鏡和電子透射電鏡觀察得出，回流2小時(shí)的CdTe量子點(diǎn)平均粒徑在2～3nm。改變Cd2+與HTe-的比例、反應(yīng)物濃度、TGA用量、反應(yīng)體系pH值各項(xiàng)反應(yīng)條件，設(shè)計(jì)一系列實(shí)驗(yàn)，考察了各反應(yīng)條件對(duì)CdTe量子點(diǎn)生長(zhǎng)的影響。 二、在