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文檔簡(jiǎn)介
1、高性能敏感材料是光纖傳感的核心技術(shù)之一,新型光纖傳感敏感材料具有新的傳感機(jī)理,是新型光纖傳感器研制和應(yīng)用的基礎(chǔ)。20世紀(jì)90年代后出現(xiàn)的聚合物光折變材料具有優(yōu)良的光折變性能,而且其加工性能優(yōu)良,可方便制備成薄膜等所需形態(tài),將這一類極具潛力的光學(xué)敏感材料應(yīng)用于光纖傳感器對(duì)相關(guān)待測(cè)量進(jìn)行檢測(cè),無(wú)疑會(huì)為光纖傳感領(lǐng)域帶來(lái)新的應(yīng)用前景和發(fā)展。 本論文在國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(No.60537050)和有色金屬材料及其加工新技術(shù)教育部重點(diǎn)
2、實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放基金的資助下(No.kfiij200507),從基礎(chǔ)理論、材料設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)與性能等方面研究了一類新型的有機(jī)/無(wú)機(jī)納米復(fù)合光折變材料,旨在克服有機(jī)光折變聚合物對(duì)外加電場(chǎng)的依賴,將其用作光纖敏感材料,為研發(fā)新型光纖傳感器奠定基礎(chǔ),同時(shí)這也對(duì)光折變聚合物的理論研究和實(shí)用化具有重要的意義。 本文進(jìn)行的主要研究?jī)?nèi)容和取得的重要成果有: 一、從理論上對(duì)聚合物光折變材料的光折變光柵形成機(jī)制、結(jié)構(gòu)與性能設(shè)計(jì)及檢測(cè)進(jìn)行了深入的分析
3、;探討了光生伏打效應(yīng)對(duì)空間電荷場(chǎng)的作用,為光折變聚合物克服對(duì)外加電場(chǎng)的依賴提供理論依據(jù)。 二、采用CdS納米粒子作為光折變聚合物的光敏劑,用物理和化學(xué)兩種復(fù)合方法制備有機(jī)/CdS納米復(fù)合材料,研究CdS納米粒子與聚合物之間的電荷遷移過(guò)程及其光電導(dǎo)性能,為光折變材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供依據(jù)。 三、從分子水平上設(shè)計(jì)和優(yōu)化共軛體系具有推拉電子基團(tuán)(D-π-A)結(jié)構(gòu)的非線性光學(xué)生色團(tuán)BMNPAB,探討其最佳反應(yīng)條件,研究其能級(jí)結(jié)構(gòu)、非線
4、性性能和增塑作用等,用以制備性能優(yōu)良的光折變聚合物。 四、采用主-客體設(shè)計(jì)方法制備兩種新型的PVK/BMNPAB/CdS和PVK-10-CdS/BMNPAB光折變體系。經(jīng)極化后在無(wú)外加電場(chǎng)的情況下,物理復(fù)合PVK/BMNPAB/CdS體系獲得耦合增益系數(shù)Γ=31.7cm<'-1>;化學(xué)復(fù)合PVK-10-CdS/BMNPAB體系獲得Γ=50.0cm<'-1>和衍射效率η=4.2%,這是由于PVK與CdS的化學(xué)鍵合為二者間表面電荷遷
5、移提供了良好的界面,可進(jìn)一步提高光生載流子的速度和數(shù)量以提高材料的光電導(dǎo)性能,進(jìn)而提高光折變材料內(nèi)部光致電荷場(chǎng)的形成速度和電場(chǎng)強(qiáng)度。與國(guó)內(nèi)外已有報(bào)道有機(jī)/無(wú)機(jī)納米復(fù)合光折變材料在外加電場(chǎng)下獲得Γ值為幾~幾十cm<'-1>相比,兩種新型的光折變體系均表現(xiàn)出更好的光折變性能。 五、采用后功能法設(shè)計(jì)合成一種新穎的既具電荷傳輸分子又具有生色團(tuán)雙功能聚合物PVNPAK。PVNPAK薄膜在未預(yù)先極化下,獲得有效二階非線性系數(shù)d<,eff>=
6、4.7pm/V的,提出了分子“自排列”取向效應(yīng)。采用主.客體設(shè)計(jì)方法制備出新型PVNPAK/CdS/ECZ光折變體系,在有機(jī).無(wú)機(jī)納米復(fù)合光折變材料研究領(lǐng)域中,首次報(bào)道在未預(yù)先極化和無(wú)外加電場(chǎng)下可獲得Γ=11.89cm<'-1>和η=3.2%,為光折變聚合物的實(shí)用化創(chuàng)造了條件。 六、采用化學(xué)原位復(fù)合法成功地將CdS鍵合到聚合物PVNPAK上,制備出新型的多功能PVNPAK-CdS/ECZ光折變體系。在未預(yù)先極化和無(wú)外加電場(chǎng)下,P
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