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1、SiC半導(dǎo)體材料是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料。與廣泛應(yīng)用于微波領(lǐng)域的半導(dǎo)體材料GaAs相比SiC材料具有寬禁帶、高擊穿電場、高載流子飽和漂移速率、高熱導(dǎo)率、高功率密度等許多優(yōu)點。隨著SiC材料制造工藝的不斷改進(jìn)和制造成本的下降，在高溫、大功率、高頻、光電子、抗輻照等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。在微波功率器件中SiC金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)更引起了人們的廣泛重視。 本文采用等效電路與物理模型相結(jié)合的方法，提出了SiCMESFE
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