硅硅直接鍵合的理論及工藝研究.pdf

1、　　兩個表面平整潔凈的硅片在一定條件下可以通過表面的化學鍵互相連接起來，這就是硅硅直接鍵合技術(shù)。它由于其靈活性和半導體工藝的兼容性已經(jīng)引起了廣泛的重視。但由于隨著鍵合面積增大，界面空洞的消除問題還未得到有效的解決，從而得不到較強的鍵合強度，因此要將這種技術(shù)實用化還需繼續(xù)進行研究。鍵合技術(shù)用于電子器件的制造已經(jīng)被證實有獨特的優(yōu)點，但界面過渡區(qū)的控制還是一個難點，其工藝還有待研究?！　”疚南到y(tǒng)地論述了硅硅直接鍵合的工藝機理、工藝過程及其各

2、種檢測方法。首先對SDB的工藝機理進行了說明，并分析了引起鍵合界面空洞的原因，提出了增強鍵合強度及控制鍵合界面電學特性的措施。鍵合的工藝過程包括：表面清洗處理、預鍵合和高溫退火。根據(jù)課題目標，改進了鍵合工藝，得到了鍵合強度與體硅相當?shù)逆I合片。介紹了衡量鍵合片質(zhì)量的各種檢測方法原理，并開發(fā)了相關(guān)檢測設備為實驗服務?！　」桄I合片的缺陷主要集中在鍵合界面，鍵合強度受到很大影響。通過Weibull分析理論來研究鍵合片界面缺陷的分布情況。而且對