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1、本文采用陰離子聚合的方法,在成功制備PB/A-POSS(Polybutadiene/Allylisobutyl Polyhedral Oligomeric Silsesquioxane,聚丁二烯/烯丙基異丁基多面體低聚倍半硅氧烷)納米復(fù)合材料的基礎(chǔ)上,采用FTIR(FourierTransform Infrared Spectroscopy,傅里葉變換紅外光譜)、XRD(X-ray Diffraction,X射線衍射)、SEM(Scan
2、ning Electron Microscopy,掃描電子顯微鏡)、TEM(Transmission Electron Microscopy,透射電子顯微鏡)、DSC(Differential ScanningCalorimetry,差示掃描量熱分析)、TGA(Thermogravimetric Analysis,熱重分析)以及DMA(Dynamic Mechanical Analysis,動(dòng)態(tài)力學(xué)分析)的測(cè)試手段研究了不同A-POSS
3、含量對(duì)未硫化和硫化PB/A-POSS納米復(fù)合材料形態(tài)結(jié)構(gòu)、熱性能以及動(dòng)態(tài)力學(xué)性能的影響。
結(jié)果表明,當(dāng)A-POSS含量達(dá)到2 wt%以上,A-POSS在基體中發(fā)生團(tuán)聚,形成A-POSS結(jié)晶區(qū)域,并隨著A-POSS含量的增加,A-POSS在基體中的聚集程度增大,結(jié)晶度提高。SEM、TEM觀測(cè)也同樣印證了A-POSS團(tuán)聚現(xiàn)象的發(fā)生。
少量A-POSS的引入顯著地提高了納米復(fù)合材料的Tg(glass transit
4、iontemperature,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度),最高可達(dá)27℃。TGA測(cè)試結(jié)果表明,在400~500℃基體材料熱降解區(qū)間,隨著A-POSS含量的增加,材料的失重率顯著下降,耐熱性顯著增強(qiáng)。另外,PB/A-POSS納米復(fù)合材料的TGA譜圖中比純PB多出一個(gè)熱失重區(qū)域,即200~300℃區(qū)間。200~300℃區(qū)間的產(chǎn)生,主要是由于A-POSS的升華所導(dǎo)致。
DMA結(jié)果表明引入A-POSS后,復(fù)合材料在玻璃化轉(zhuǎn)變區(qū)的儲(chǔ)能模量均有
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