MEMS封裝中的倒裝芯片凸點技術.pdf

1、本論文在簡短概述了倒裝芯片技術和微機電系統(tǒng)(MEMS)的特點和國內外概況后,選定了一套凸點制備的實現(xiàn)方案.通過實驗摸索得到了最佳的工藝參數(shù),完成了凸點制備后,并對凸點系統(tǒng)的各種性能進行了研究.首先,介紹了濺射方法實現(xiàn)凸點下合金層(Under Bump Metallurgy-UBM)的制備工藝.在討論UBM的功能與結構后,選定了一個簡單且功能完善的UBM序列.對磁控濺射的原理、設備特征以及靶材規(guī)格做了簡單介紹.通過實驗確定各種UBM金屬膜

2、的濺射功率、氣壓以及沉積速率.結果表明:磁控濺射鍍膜中沉積速率是隨工作氣壓的增大而先增大后減小.工作氣壓存在一個最佳值,當在這個氣壓下工作時,沉積速率將達到最大.其次,本文介紹了利用甲磺酸錫鉛合金鍍液制備電鍍凸點的工藝過程,詳細討論了影響電鍍質量的工藝參數(shù):表面光亮度、分散及覆蓋能力、沉積速率等.研究發(fā)現(xiàn),電流密度D<,k>與最低攪拌轉速密切相關.在不同的D<,k>和沉積時間下,鍍液的分散能力較為穩(wěn)定,合金的沉積速率也較為適當.此外,在