α-Al-,2-O-,3-(0001)表面吸附AlN的模擬研究.pdf

1、四川師范大學(xué)碩士學(xué)位論文αAlO（0001）表面吸附AlN的模擬研究姓名：馮玉芳申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：楊春20090405四川師范大學(xué)碩士學(xué)位論文后，A1的最外層部分電子明顯地轉(zhuǎn)移到了基片表面，(A1)NA1化學(xué)鍵表現(xiàn)出離子鍵特征，同時A1O(基片)化學(xué)鍵也有明顯的離子鍵成分。另外，通過吸附前后原子的布居分析和局域態(tài)密度分析，從吸附能量和吸附位置來看，有利于A13s軌道與表面相鄰的3個O原子2p軌道產(chǎn)生sp3雜化，形成

2、四面體配位，從而有利于A1N薄膜的鉛鋅礦結(jié)構(gòu)形成。同時模擬計算了AIN分子在藍寶石表面不同溫度下的吸附與擴散過程，重點分析了溫度對吸附過程、體系能量變化、表面粒子擴散以及對薄膜生長的影響。溫度越高，粒子的平均能量越大，粒子平均擴散能力增強：在整個吸附生長中，N的擴散系數(shù)(29X104m2s。)明顯大于Al的擴散系數(shù)(1210母m卜s1)，尤其是在物理吸附間段；在擴散初始階段，吸附擴散為主導(dǎo)作用，而在較高溫度條件下(大于700c)，N的解