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1、目前,SIMS廣泛用于固體材料的痕量元素分析,特別是半導(dǎo)體和薄膜產(chǎn)品。SIMS的離子源是一種直接從固體樣品上產(chǎn)生離子,不需事先經(jīng)過(guò)蒸發(fā)。SIMS的一次離子束可以聚焦到小于1微米。通過(guò)控制一次離子束作用于樣品表面上的條件,可以進(jìn)行微區(qū)分析、橫向分布測(cè)量和深度剖析等。 SIMS分析中的二次離子產(chǎn)額被定義為一個(gè)入射離子轟擊樣品時(shí)所產(chǎn)生的二次離子數(shù)。不同元素的離子產(chǎn)額變化幅度會(huì)達(dá)到幾個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于離子產(chǎn)額影響最大的因素分別是離子化勢(shì)(正
2、離子)和電子親和勢(shì)(負(fù)離子)。 本課題采用質(zhì)譜界所公認(rèn)的同位素豐度比以及已知的各元素的二次離子產(chǎn)額,進(jìn)行鋁材料中一些雜質(zhì)的無(wú)標(biāo)樣定量分析。然后與原子發(fā)射光譜儀(直讀光譜儀)及輝光放電質(zhì)譜法等其它方法的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行比對(duì),探討二次離子無(wú)標(biāo)樣定量分析的方法和可行性。 采用SIMS無(wú)標(biāo)樣定量分析進(jìn)行鋁材定量的分析結(jié)果基本能夠反映出分析鋁材中各元素的組成情況,可以認(rèn)為SIMS的無(wú)標(biāo)樣定量分析有一定的現(xiàn)實(shí)意義。盡管SIMS的分析結(jié)果
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