中頻反應(yīng)磁控濺射制備二氧化硅薄膜的工藝研究.pdf

1、二氧化硅薄膜具有良好的絕緣性、穩(wěn)定性和機(jī)械特性，同時(shí)又是一種實(shí)用的低折射率材料，可以作為絕緣層、保護(hù)膜、鈍化膜或光學(xué)薄膜，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微波、光電子以及光學(xué)器件等領(lǐng)域。
　　目前制備二氧化硅薄膜的方法有脈沖激光沉積法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、熱氧化法等,以上幾種鍍膜方法應(yīng)用在光學(xué)薄膜領(lǐng)域都有各種缺點(diǎn)，難以克服。
　　中頻反應(yīng)磁控濺射是一種目前很先進(jìn)的物理沉積方法。其在大面積，高反射率光學(xué)薄膜領(lǐng)域有極大的優(yōu)勢(shì)，其制備的

2、大面積高反射膜是最有可能運(yùn)用于大型光學(xué)鍍膜技術(shù)，但是目前中頻反應(yīng)磁控濺射制備二氧化硅薄膜的工藝存在許多問題。薄膜反射率沒有達(dá)到工程性能要求，還沒有展開其薄膜的微納力學(xué)性能方面的研究。
　　本論文利用中頻反應(yīng)磁控濺射裝備以及大量檢測(cè)設(shè)備，通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步優(yōu)化了高反射率二氧化硅薄膜的工藝。驗(yàn)證了中頻反應(yīng)磁控濺射制備二氧化硅薄膜的均勻性，并根據(jù)實(shí)驗(yàn)以及現(xiàn)實(shí)情況制定了中頻反應(yīng)磁控濺射制備二氧化硅薄膜的工藝參數(shù)。在微納力學(xué)性能的研究方面，論文